A Shaanxi BLOOM Tech Co., Ltd. a cas 12055-23-1 hafnium-oxid por egyik legtapasztaltabb gyártója és szállítója Kínában. Üdvözöljük a nagykereskedelmi ömlesztett, kiváló minőségű hafnium-oxid por cas 12055-23-1 eladása itt gyárunkból. Jó szolgáltatás és elfogadható ár érhető el.
Hafnium-oxid por, kémiai képlete HfO2. Molekulatömeg 210,49. Fehér köbös kristály. Fajsúly 9.68. Olvadáspont 2758 ± 25 fok. A forráspont körülbelül 5400 fok. A monoklin rendszer hafnium-dioxidja elegendő oxigén atmoszférában 1475-1600 fokon tetragonális rendszerré alakul. Vízben és általános szervetlen savakban nem oldódik, de hidrogén-fluoridban lassan oldódik. Forró tömény kénsavval vagy savas szulfáttal reagál, és hafnium-szulfátot képez [hf (SO4) 2]. Szénnel való összekeverés után hevítik és klórozzák, hogy hafnium-tetrakloridot (hfcl4) képezzenek, kálium-fluor-szilikáttal reagálva kálium-fluor-hafniumot (k2hff6) képez, és szénnel reagálva 1500 fok feletti hafnium-karbid-HFC keletkezik. Hafnium-karbid, tetraklorid, szulfid, borid, nitrid vagy oxidált oxid közvetlen magas hőmérsékletű{21}}égetésével állítják elő.
|
Kémiai képlet |
HfO2 |
|
Pontos mise |
212 |
|
Molekulatömeg |
210 |
|
m/z |
212 (100.0%), 210 (77.8%), 209 (53.0%), 211 (38.8%), 208 (15.0%) |
|
Elemelemzés |
Hf 84,80; O, 15,20 |
Nagy{0}}tisztaságú alacsony cirkónium előállítási módszerehafnium-oxid por, a módszer lépései a következők:
(1) Minősített hafnium-szulfát oldat készítése: nyersanyagként hafnium-oxidot vegyen fel, majd lúgos olvasztással, sósavas oldással, kristályosítással, szennyeződés eltávolítással, kicsapással, szűréssel, szárítással oldja fel, majd kénsavoldattal oldja fel. Állítsa be a h+-koncentrációt, a HfO2-koncentrációt és a hafnium-szulfát-oldatban lévő hafnium-szulfát-oldatot;
(2) Az extrahálószer ipari minőségű N235 ipari minőségű a1416 és ipari minőségű szulfonált kerozinnal keverve. Az extrahálószer egyes komponenseinek térfogati hányada a következő: n235:20%, a1416:7%, szulfonált kerozin: 73%. A fenti extrahálószert három-lépcsős extrakcióhoz használják a cirkónium és a hafnium elválasztására a hafnium-szulfát betáplálási folyadéktól, így alacsony cirkónium-hafnium-szulfát extrakciós maradékot kapnak.
(3) Három-lépcsős extrakció után az alacsony cirkónium-hafnium-szulfátos extrakció maradékát egymás után ammóniával kicsapják, öblítik, szárítják, sósavval kilúgozzák, kristályosítják és tisztítják, ammóniával kicsapják, öblítik, szárítják és kalcinálják, hogy magas ha{2}oxid-tisztaságú, alacsony hafniumoxid-koniumtermékeket kapjanak.
Hafnium-oxid por, mint egyszerű oxid anyag, széles sávszélességgel, nagy dielektromos állandóval és ferroelektromos jellemzőkkel, széles körű alkalmazási kilátásokkal rendelkezik a mikroelektronika területén. Magas-k dielektromos réteg anyagaként hatékonyan javítja a tranzisztorok teljesítményét, csökkenti az eszköz méretét és csökkenti az energiafogyasztást; Ferroelektromos memóriaanyagként új lehetőségeket kínál a nem -illékony memória következő generációjának fejlesztéséhez. A mikroelektronika területén alkalmazott alkalmazások azonban bizonyos technikai kihívásokkal is szembesülnek, mint például a fázisátmenet szabályozása, az interfész problémák, az adalékolási technikák és az előkészítési folyamatok. A folyamatos technológiai innováció és kutatás révén ezek a kihívások várhatóan megoldódnak.
Alkalmazási háttér a mikroelektronika területén
A hagyományos szilícium-dioxid kapu szigetelőréteg korlátai
A hagyományos mikroelektronikai eszközökben szilícium-dioxidot használtak a kapu szigetelőrétegeként. A félvezető technológia folyamatos fejlődésével azonban a tranzisztorok mérete folyamatosan zsugorodik, a szilícium-dioxid-kapu szigetelőréteg vastagsága pedig fokozatosan közelíti fizikai határát. Amikor a szilícium-dioxid-kapu dielektrikum vastagsága egy bizonyos mértékig csökken, a kapu szivárgási helyzete jelentősen megnő, ami a tranzisztor teljesítményének csökkenéséhez és az energiafogyasztás növekedéséhez vezet.
Előnyök alternatív anyagként
A megjelenésehafnium-oxid porhatékony módot nyújt a fenti problémák megoldására. A szilícium-dioxidhoz képest a hafnium-dioxid nagyobb dielektromos állandóval rendelkezik, és vékonyabb vastagságban is képes ugyanazt a kapacitást biztosítani, hatékonyan csökkentve a tranzisztorok méretét. Eközben a hafnium-dioxid rendkívül jól kompatibilis az integrált áramköri folyamatokkal, és könnyen integrálható a meglévő mikroelektronikai gyártási folyamatokba. Ezenkívül a hafnium-dioxid ferroelektromos tulajdonságai új lehetőségeket kínálnak a nem -illékony memóriában és más területeken történő alkalmazására.
A hafnium-dioxid speciális alkalmazásai a mikroelektronika területén
Magas k dielektromos réteganyag
(1) A tranzisztor teljesítményének javítása
A hafnium-dioxidot széles körben használják félvezető eszközökben magas -k dielektromos rétegek előállítására, helyettesítve a hagyományos SiO ₂ szigetelőrétegeket. A magas -k dielektromos réteg hatékonyan csökkentheti a kapuszivárgást, javíthatja a tranzisztor meghajtó áramát és kapcsolási sebességét, valamint jelentősen javíthatja a tranzisztor teljesítményét. Például amikor az Intel bevezette a 65 nanométeres gyártási eljárást.
Bár minden erőfeszítést megtett annak érdekében, hogy a szilícium-dioxid-kapu dielektrikum vastagságát 1,2 nanométerre csökkentse, a tranzisztor atomi méretűre csökkentésekor az energiafogyasztás és a hőleadás nehézsége nőtt, ami áramveszteséget és szükségtelen hőenergiát eredményezett, és jelentősen megnőtt a szivárgási helyzet. A probléma megoldása érdekében az Intel vastagabb, magas -K-tartalmú anyagokat (hafnium alapú anyagokat) használt kapudielektrikumként a szilícium-dioxid helyett, így sikeresen több mint 10-szeresére csökkentette a szivárgást.
(2) Csökkentse az eszköz méretét
A fejlett folyamatcsomópontok folyamatos fejlődésével a mikroelektronikai eszközök egyre nagyobb méretkövetelményeket támasztanak. A hafnium-dioxid nagy dielektromos állandója lehetővé teszi, hogy vékonyabb vastagságnál is elegendő kapacitást biztosítson, így kielégítve a folyamatosan zsugorodó készülékméretek iránti igényt. Az előző generációs 65 nanométeres technológiához képest a 45 nanométeres eljárás hafnium-dioxidot használ kapudielektrikumként, közel kétszeresére növeli a tranzisztorok sűrűségét, ami lehetővé teszi a tranzisztorok teljes számának növekedését vagy a processzor méretének csökkentését.
(3) Csökkentse az energiafogyasztást
A hafnium-dioxid magas{0}k dielektromos réteg alkalmazása szintén hatékonyan csökkentheti a mikroelektronikai eszközök energiafogyasztását. A kapuszivárgás csökkentésével és a tranzisztorok kapcsolási sebességének növelésével a hafnium-dioxid csökkentheti az energiaveszteséget az eszköz működése során, meghosszabbíthatja az akkumulátor élettartamát és javíthatja a berendezések energiahatékonyságát.
Ferroelektromos memóriaanyagok
(1) A ferroelektromosság felfedezése és alkalmazási lehetőségei
2011-ben a Qimonda Semiconductor Company és a németországi Drezdai Műszaki Egyetem által alapított NaMLab elektronikai anyagokkal foglalkozó startup K+F csapata 10 nm-nél kisebb vastagságú szilícium-dioxiddal adalékolt HfO ₂ vékonyrétegeket készített el atomi rétegfelhordási technológiával, és figyelte meg a ferroelektromos anyagok egyedi hiszterézis hurkát az első alkalommal. Ez a felfedezés alapozta meg a hafnium-dioxid alkalmazását a ferroelektromos memória területén. A ferroelektromos memória előnye a nem -illékony, nagy- olvasási és írási sebesség, valamint az alacsony energiafogyasztás, és fontos fejlesztési iránynak tekintik a memória következő generációja számára.
(2) A ferroelektromos memória működési elve
A ferroelektromos memória a ferroelektromos anyagok ferroelektromosságát használja fel adatok tárolására és olvasására. A ferroelektromos anyagok spontán polarizációs jellemzőkkel rendelkeznek, és a polarizáció iránya külső elektromos tér hatására megfordítható. A ferroelektromos memóriában a ferroelektromos anyagok polarizációs iránya megváltozik azáltal, hogy különböző elektromos mezőket alkalmaznak a különböző adatállapotok (például "0" és "1") megjelenítésére. A ferroelektromos anyagok külső elektromos tér eltávolítása után is stabil polarizációs állapota miatt a ferroelektromos memória nem -illékony.
(3) A hafnium-dioxid ferroelektromos memória előnyei
A hagyományos ferroelektromos anyagokhoz képest a hafnium-dioxid ferroelektromos memória a következő előnyökkel rendelkezik:
Jó kompatibilitás a CMOS technológiával: A hafnium-dioxid könnyen integrálható a meglévő CMOS gyártási folyamatokba, csökkentve a gyártási költségeket és a folyamat nehézségeit.
Kis méret: A hafnium-dioxid vékonyabb vastagságnál érhet el ferroelektromosságot, ami előnyös a memória méretének csökkentésében és az integráció javításában.
Stabil teljesítmény: A hafnium-dioxid jó kémiai és termikus stabilitással rendelkezik, amely stabil teljesítményt tarthat fenn zord környezetben és javítja a memória megbízhatóságát.
(4) A kutatás előrehaladása és az alkalmazás állapota
Az elmúlt években jelentős előrelépés történt a hafnium-dioxid ferroelektromosságának vizsgálatában. Külföldön már vannak olyan cégek, amelyek prototípusokat készítettek HfO{1}} alapú ferroelektromos memóriához.
Számos vállalat pedig háromdimenziós integrált logikai áramkörök fejlesztését tervezi.
A tudományos alapkutatások területén egyre nagyobb a munka a HfO2 ferroelektromosságával, ferroelektromosságának eredete, szerkezeti fázisátalakulása, készülékgyártása, energetikai alkalmazása a fő kutatási irány. Jelenleg azonban a hafnium-dioxid ferroelektromos memória még a kutatási és kísérleti szakaszban van, és még mindig van egy bizonyos távolság a nagyszabású-kereskedelmi alkalmazásokig.
A mikroelektronikai eszközök egyéb alkalmazásai
(1) Dielektromos kerámia
Dielektromos kerámiák gyártására is használható, amelyek szigetelő, szűrő és egyéb szerepet töltenek be a mikroelektronikai eszközökben. Magas dielektromos állandója és kiváló szigetelési teljesítménye lehetővé teszi a dielektromos kerámiák számára, hogy jó teljesítményt tartsanak fenn olyan zord körülmények között is, mint a magas frekvencia és a magas hőmérséklet, javítva a mikroelektronikai eszközök megbízhatóságát és stabilitását.
(2) Mikrokondenzátorok
A mikroelektronikai áramkörökben a kondenzátorok fontos alkotóelemek. A hafnium-dioxid mikrokondenzátorok gyártására használható, stabil kapacitásértékeket biztosítva az áramkörök számára. A hagyományos kondenzátoranyagokhoz képest a hafnium-dioxid mikrokondenzátorok olyan előnyökkel rendelkeznek, mint a kis térfogat, nagy kapacitásérték és stabil teljesítmény, amelyek előnyösek az áramkörök integrációjának és teljesítményének javításához.
(3) Bevonóanyagok
Jó kopásállósággal és korrózióállósággal rendelkezik, bevonóanyagként használható mikroelektronikai eszközök gyártásához. Például egy hafnium-dioxid réteg bevonása a félvezető chip felületére megvédheti a chipet a külső környezeti eróziótól, javíthatja a chip megbízhatóságát és élettartamát.
A jövőben a nagyobb teljesítményű és kisebb méretű eszközök iránti kereslet növekedésével a félvezetőiparban, valamint az új energia, az optoelektronikai technológia és a környezetvédelem rohamos fejlődésével a mikroelektronika területén történő alkalmazás tovább bővül és elmélyül, jelentősen hozzájárulva a mikroelektronikai technológia fejlődésének elősegítéséhez.
A mikroelektronikai technológia, mint a modern információs technológia magja, döntő szerepet játszik a társadalmi haladás és a gazdasági fejlődés előmozdításában. A dielektromos anyagok kiválasztása döntő fontosságú a mikroelektronikai eszközök gyártási folyamatában, mivel ez közvetlenül befolyásolja az eszközök teljesítményét, méretét és energiafogyasztását. A hafnium-dioxid (HfO ₂), mint egyszerű oxid anyag, széles sávszélességgel és nagy dielektromos állandóval, az elmúlt években széleskörű figyelmet kapott a mikroelektronika területén. Egyedülálló fizikai és kémiai tulajdonságai miatt erőteljes jelölt anyag a hagyományos szilícium-dioxid (SiO2) kapuszigetelő rétegek helyettesítésére, új lehetőségeket hozva a mikroelektronikai eszközök fejlesztésére.
Kémiai tulajdonságok
A hafnium-dioxid vízben, sósavban és salétromsavban oldhatatlan, de tömény kénsavban és hidrogén-fluoridban oldódik. Ez a kémiai stabilitás lehetővé teszi, hogy a hafnium-dioxid ellenálljon a különböző vegyszerek korróziójának a mikroelektronikai eszközök gyártási folyamata során, biztosítva az eszközök megbízhatóságát és stabilitását.
Elektromos tulajdonságok
A hafnium-dioxid nagy dielektromos állandóval rendelkezik, ami a mikroelektronika területén való széles körű alkalmazásának egyik kulcsfontosságú jellemzője. A nagy dielektromos állandó lehetővé teszi, hogy a hafnium-dioxid ugyanolyan kapacitást biztosítson, mint a szilícium-dioxid vékonyabb vastagságban, hatékonyan csökkentve a tranzisztorok méretét és javítva az eszközök integrációját. Ezenkívül a hafnium-dioxid szokatlan ferroelektromos tulajdonságokkal rendelkezik, ami reményt ad a következő -generációs nagy-sűrűségű, nem-illékony ferroelektromos memória alkalmazására.
GYIK
Mire használható a hafnium-oxid?
A hafnium-oxid (HfO2) olyan anyag, amelyet nagy dielektromos állandóval, széles sávszélességgel és kiváló termikus stabilitással jellemeznek, így alkalmas félvezető eszközökben, elektronikában és optikai bevonatokban való felhasználásra.
Mérgező a hafnium-oxid?
A túlzott expozíció hatásai
Irritációt okozhat, gyulladás léphet fel. Lenyelése kellemetlen érzést okozhat. A hafnium viszonylag nem-toxikusnak tekinthető, mivel az emlősök tápcsatornájában rosszul szívódik fel.
Népszerű tags: hafnium-oxid por cas 12055-23-1, beszállítók, gyártók, gyár, nagykereskedelem, vétel, ár, ömlesztve, eladó